CTLDM303N-M832DS TR
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| Numero di parte | CTLDM303N-M832DS TR |
|---|---|
| fabbricante | Central Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.405 | $0.353 | $0.272 | $0.202 | $0.161 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | CTLDM303N-M832DS TR | fabbricante | Central Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 120791 pcs | Scheda dati | CTLDM303N-M832DS |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | TLM832DS | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V | Potenza - Max | 1.65W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-TDFN Exposed Pad |
| Altri nomi | CTLDM303N-M832DS CT CTLDM303N-M832DS CT-ND CTLDM303N-M832DSCT |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A 1.65W Surface Mount TLM832DS | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A |
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- Parte#:
RG3216N-1003-W-T1 - Produttori:
Susumu - Descrizione:
RES SMD 100K OHM 0.05% 1/4W 1206 - Disponibile:
99712
