AOW7S60
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| Numero di parte | AOW7S60 |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 7A TO262 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.364 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | AOW7S60 | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 7A TO262 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 87410 pcs | Scheda dati | TO262 Pkg DrawingAOW(F)7S60 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.9V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-262 | Serie | aMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 372pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 7A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-262 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
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