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AOW10N65

AOW10N65
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Numero di parte AOW10N65
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 650V 10A TO262
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 67377 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte AOW10N65 fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 650V 10A TO262 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 67377 pcs Scheda dati AOW(F)10N65TO262 Pkg Drawing
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 1 Ohm @ 5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1645pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650V Descrizione dettagliata N-Channel 650V 10A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)

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