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AOU3N60_001

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Numero di parte AOU3N60_001
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5886 pcs
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Numero di parte AOU3N60_001 fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5886 pcs Scheda dati AO(D,U)3N60
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-251-3 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5 Ohm @ 1.25A, 10V Dissipazione di potenza (max) 56.8W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 2.5A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-251-3 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc)

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