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AOTF11S60L

AOTF11S60L
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Numero di parte AOTF11S60L
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 81634 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte AOTF11S60L fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 600V 11A TO220F Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 81634 pcs Scheda dati TO220F Pkg DrawingAO(T,B,TF)11S60
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.1V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3F Serie aMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 399 mOhm @ 3.8A, 10V Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 545pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)

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