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AOT20N60L

AOT20N60L
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Numero di parte AOT20N60L
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 60297 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1000 pcs
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Numero di parte AOT20N60L fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20A TO220 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 60297 pcs Scheda dati TO220 Pkg DrawingAox(F)20N60
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 370 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 417W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi 785-1512-5
AOT20N60L-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 26 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3680pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 20A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-220 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

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