AOT11S65L
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| Numero di parte | AOT11S65L |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11A TO220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.452 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | AOT11S65L | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11A TO220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 68102 pcs | Scheda dati | AOx(F)11S65TO220 Pkg Drawing |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220 | Serie | aMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 399 mOhm @ 5.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 198W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | 785-1510-5 AOT11S65L-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 26 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 646pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 11A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-220 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
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