AON6998
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| Numero di parte | AON6998 |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.408 | $0.36 | $0.284 | $0.221 | $0.174 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | AON6998 | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 129908 pcs | Scheda dati | DFN5x6D_8L_EP2_S Pkg DrawingAON6998 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-DFN-EP (5x6) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 20A, 10V | Potenza - Max | 3.1W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi | 785-1749-1 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 19A, 26A 3.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 19A, 26A |
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