AON2701_001
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| Numero di parte | AON2701_001 |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET P-CH W/DIODE DFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | AON2701_001 | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH W/DIODE DFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5901 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-DFN (2x2) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-WDFN Exposed Pad |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-DFN (2x2) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
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