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AOK18N65L

AOK18N65L
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Numero di parte AOK18N65L
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 25724 pcs
Prezzo di Riferimento
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240 pcs
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Numero di parte AOK18N65L fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 650V 18A TO247 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 25724 pcs Scheda dati TO247 Pkg DrawingAOK18N65(L)
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 390 mOhm @ 9A, 10V Dissipazione di potenza (max) 417W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-3
Altri nomi 785-1456-5
785-1456-5-ND
785-1589-5
AOK18N65
AOK18N65L-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 26 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3785pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione dettagliata N-Channel 650V 18A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)

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