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AOI7S65

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Numero di parte AOI7S65
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 67220 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte AOI7S65 fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 650V 7A TO251A Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 67220 pcs Scheda dati AOD/AOU/AOI7S65TO251A Pkg Drawing
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A Serie aMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 650 mOhm @ 3.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 89W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 434pF @ 100V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione dettagliata N-Channel 650V 7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-251A Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)

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