AOI4S60
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| Numero di parte | AOI4S60 |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 4A TO251A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.213 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | AOI4S60 | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 4A TO251A | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 95248 pcs | Scheda dati | TO251A Pkg DrawingAOx4S60 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-251A | Serie | aMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 900 mOhm @ 2A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 56.8W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 263pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 4A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-251A | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
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