AOI4102
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| Numero di parte | AOI4102 |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 8A TO251A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | AOI4102 | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 8A TO251A | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5688 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-251A | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 37.5 mOhm @ 12A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 4.2W (Ta), 21W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 432pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 8A (Ta), 19A (Tc) 4.2W (Ta), 21W (Tc) Through Hole TO-251A | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta), 19A (Tc) |
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