AOD4N60_001
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| Numero di parte | AOD4N60_001 |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 4A TO252 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | AOD4N60_001 | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 4A TO252 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5777 pcs | Scheda dati | AO(D,I)4N60 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 2A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 4A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
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