AOC2802_001
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| Numero di parte | AOC2802_001 |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 4WLCSP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | AOC2802_001 | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 4WLCSP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5215 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 4-WLCSP (1.57x1.57) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 35 mOhm @ 3A, 4.5V | Potenza - Max | 1.3W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 4-UFBGA, WLCSP |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.3W Surface Mount 4-WLCSP (1.57x1.57) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
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