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AOB20S60L

AOB20S60L
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Numero di parte AOB20S60L
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 41589 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte AOB20S60L fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20A TO263 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 41589 pcs Scheda dati AOT/AOB/AOTF20S60TO263 (D2PAK) Pkg Drawing
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.1V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak) Serie aMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 199 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 266W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi 785-1247-1 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 26 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1038pF @ 100V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19.8nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 20A (Tc) 266W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

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