AO4600C
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| Numero di parte | AO4600C |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | AO4600C | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4650 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 23 mOhm @ 7.5A, 10V, 42 mOhm @ 5.6A, 10V | Potenza - Max | 2W |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 30V 7.5A (Ta), 5.6A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOIC | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Ta), 5.6A (Ta) |
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