AO4435_102
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| Numero di parte | AO4435_102 |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | AO4435_102 | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5308 pcs | Scheda dati | AO4435 Datasheet |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 14 mOhm @ 11A, 20V | Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 20V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 10.5A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SO | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Ta) |
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