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AS4C8M16SA-6TIN

AS4C8M16SA-6TIN
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Numero di parte AS4C8M16SA-6TIN
fabbricante Alliance Memory, Inc.
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 48314 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)
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Numero di parte AS4C8M16SA-6TIN fabbricante Alliance Memory, Inc.
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 48314 pcs Scheda dati AS4C8M16SA
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 12ns
Tensione di alimentazione - 3 V ~ 3.6 V Tecnologia SDRAM
Contenitore dispositivo fornitore 54-TSOP II Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Altri nomi 1450-1267 temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile Dimensione della memoria 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria DRAM
Produttore tempi di consegna standard 8 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II Frequenza dell'orologio 166MHz
Tempo di accesso 5ns

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