AS4C8M16S-6BINTR
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| Numero di parte | AS4C8M16S-6BINTR |
|---|---|
| fabbricante | Alliance Memory, Inc. |
| Descrizione | IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | AS4C8M16S-6BINTR | fabbricante | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4656 pcs | Scheda dati | AS4C8M16S |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 2ns |
| Tensione di alimentazione - | 3 V ~ 3.6 V | Tecnologia | SDRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore | 54-TFBGA (8x8) | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 54-TFBGA |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 128Mb (8M x 16) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | DRAM | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TFBGA (8x8) | Frequenza dell'orologio | 166MHz |
| Tempo di accesso | 5ns |
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