AS4C64M8D1-5TINTR
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| Numero di parte | AS4C64M8D1-5TINTR |
|---|---|
| fabbricante | Alliance Memory, Inc. |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.181 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | AS4C64M8D1-5TINTR | fabbricante | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 33184 pcs | Scheda dati | AS4C64M8D1 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.3 V ~ 2.7 V | Tecnologia | SDRAM - DDR |
| Contenitore dispositivo fornitore | 66-TSOP II | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | DRAM | Produttore tempi di consegna standard | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II |
| Frequenza dell'orologio | 200MHz | Tempo di accesso | 700ps |
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