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AS4C64M16MD1A-5BIN

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Numero di parte AS4C64M16MD1A-5BIN
fabbricante Alliance Memory, Inc.
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 21457 pcs
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Numero di parte AS4C64M16MD1A-5BIN fabbricante Alliance Memory, Inc.
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 21457 pcs Scheda dati AS4C64M16MD1A-5BIN
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 15ns
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.95 V Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR
Contenitore dispositivo fornitore 60-FBGA (9x8) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 60-VFBGA
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria DRAM Produttore tempi di consegna standard 8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-FBGA (9x8)
Frequenza dell'orologio 200MHz Tempo di accesso 5ns

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Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1A-5BIN. Distributore AS4C64M16MD1A-5BIN. AS4C64M16MD1A-5BIN fornitore. Prezzo AS4C64M16MD1A-5BIN. AS4C64M16MD1A-5BIN Scarica la scheda tecnica Foglio dati AS4C64M16MD1A-5BIN. Stock AS4C64M16MD1A-5BIN.Acquista AS4C64M16MD1A-5BIN. Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1A-5BIN. Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1A-5BIN.