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AS4C16M16S-6BINTR

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Numero di parte AS4C16M16S-6BINTR
fabbricante Alliance Memory, Inc.
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4861 pcs
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Numero di parte AS4C16M16S-6BINTR fabbricante Alliance Memory, Inc.
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4861 pcs Scheda dati AS4C16M16S
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 12ns
Tensione di alimentazione - 3 V ~ 3.6 V Tecnologia SDRAM
Contenitore dispositivo fornitore 54-TFBGA (8x8) Serie -
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 54-TFBGA
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria DRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8) Frequenza dell'orologio 166MHz
Tempo di accesso 5.4ns

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Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-6BINTR. Distributore AS4C16M16S-6BINTR. AS4C16M16S-6BINTR fornitore. Prezzo AS4C16M16S-6BINTR. AS4C16M16S-6BINTR Scarica la scheda tecnica Foglio dati AS4C16M16S-6BINTR. Stock AS4C16M16S-6BINTR.Acquista AS4C16M16S-6BINTR. Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-6BINTR. Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-6BINTR.