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AS4C16M16D1-5BIN

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Numero di parte AS4C16M16D1-5BIN
fabbricante Alliance Memory, Inc.
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 30759 pcs
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Numero di parte AS4C16M16D1-5BIN fabbricante Alliance Memory, Inc.
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 30759 pcs Scheda dati AS4C16M16D1
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 15ns
Tensione di alimentazione - 2.3 V ~ 2.7 V Tecnologia SDRAM - DDR
Contenitore dispositivo fornitore 60-TFBGA (8x13) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 60-TFBGA
Altri nomi 1450-1119 temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile Dimensione della memoria 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria DRAM
Produttore tempi di consegna standard 8 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13) Frequenza dell'orologio 200MHz
Tempo di accesso 700ps

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Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BIN. Distributore AS4C16M16D1-5BIN. AS4C16M16D1-5BIN fornitore. Prezzo AS4C16M16D1-5BIN. AS4C16M16D1-5BIN Scarica la scheda tecnica Foglio dati AS4C16M16D1-5BIN. Stock AS4C16M16D1-5BIN.Acquista AS4C16M16D1-5BIN. Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BIN. Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BIN.