AS4C128M32MD2-18BINTR
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| Numero di parte | AS4C128M32MD2-18BINTR |
|---|---|
| fabbricante | Alliance Memory, Inc. |
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | AS4C128M32MD2-18BINTR | fabbricante | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 4591 pcs | Scheda dati | AS4C128M32MD2-18BCN,BIN |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.14 V ~ 1.95 V | Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Contenitore dispositivo fornitore | 134-FBGA (10x11.5) | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 134-VFBGA |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TC) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 4Gb (128M x 32) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | DRAM | Descrizione dettagliata | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5) |
| Frequenza dell'orologio | 533MHz |
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