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WPB4001-1E

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Numero di parte WPB4001-1E
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4917 pcs
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Numero di parte WPB4001-1E fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4917 pcs Scheda dati WPB4001
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id -
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P-3L Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 260 mOhm @ 13A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 220W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 30V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 500V
Descrizione dettagliata N-Channel 500V 26A (Ta) 2.5W (Ta), 220W (Tc) Through Hole TO-3P-3L Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Ta)

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