VEC2616-TL-H-Z
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| Numero di parte | VEC2616-TL-H-Z |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.141 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | VEC2616-TL-H-Z | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 147113 pcs | Scheda dati | VEC2616 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-28FL/VEC8 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 80 mOhm @ 1.5A, 10V | Potenza - Max | 1W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 505pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4V Drive | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2.5A 1W Surface Mount SOT-28FL/VEC8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3A, 2.5A |
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