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STD110N02RT4G-VF01

STD110N02RT4G-VF01
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Numero di parte STD110N02RT4G-VF01
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 24V 32A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 89416 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Numero di parte STD110N02RT4G-VF01 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 24V 32A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 89416 pcs Scheda dati NTD110N02R, STD110N02R
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 4.6 mOhm @ 20A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta), 110W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi STD110N02RT4G-VF01OSCT
STD110N02RT4G-VF01OSCT-ND
STD110N02RT4GOSCT		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 6 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3440pF @ 20V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 24V
Descrizione dettagliata N-Channel 24V 32A (Ta) 1.5W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount DPAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Ta)

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