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SMUN5311DW1T3G

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Numero di parte SMUN5311DW1T3G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1541263 pcs
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Numero di parte SMUN5311DW1T3G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1541263 pcs Scheda dati MUN5311DW1, NSBC114EPXxx
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potenza - Max 187mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Altri nomi SMUN5311DW1T3G-ND
SMUN5311DW1T3GOSTR
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 40 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione - Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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