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NXH80T120L2Q0S2G

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Numero di parte NXH80T120L2Q0S2G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione PIM 1200V, 80A TNPC CUSTO
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1532 pcs
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Numero di parte NXH80T120L2Q0S2G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione PIM 1200V, 80A TNPC CUSTO Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1532 pcs Scheda dati NXH80T120L2Q0S1G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.85V @ 15V, 80A Contenitore dispositivo fornitore 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Serie - Potenza - Max 125W
Contenitore / involucro Module Altri nomi NXH80T120L2Q0S1G
NXH80T120L2Q0S1G-ND
NXH80T120L2Q0S1GOS
NXH80T120L2Q0S1GOS-ND
NXH80T120L2Q0S2G-ND
NXH80T120L2Q0S2GOS
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Termistore NTC Yes
Tipo montaggio Chassis Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 19.4nF @ 25V
Ingresso Standard Tipo IGBT Trench Field Stop
Descrizione dettagliata IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 1200V 57A 125W Chassis Mount 18-PIM/Q0PACK (55x32.5) Corrente - Cutoff collettore (max) 300µA
Corrente - collettore (Ic) (max) 57A Configurazione Three Level Inverter

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