NVTFS6H850NTAG
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| Numero di parte | NVTFS6H850NTAG |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 68A TRENCH 8WDFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.188 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NVTFS6H850NTAG | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 68A TRENCH 8WDFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 101203 pcs | Scheda dati | NVTFS6H850N |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 70µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-WDFN (3.3x3.3) | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 3.2W (Ta), 107W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi | NVTFS6H850NTAG-ND NVTFS6H850NTAGOSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 40 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11.4nF @ 40V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 80V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 80V 11A (Ta), 68A (Tc) 3.2W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 68A (Tc) |
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