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NVTFS5824NLTWG

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Numero di parte NVTFS5824NLTWG
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 140216 pcs
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Numero di parte NVTFS5824NLTWG fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 20A U8FL Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 140216 pcs Scheda dati NVTFS5824NL
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 20.5 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta), 57W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerWDFN
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 3.2W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -

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