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NVTFS4C08NWFTAG

NVTFS4C08NWFTAG
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Numero di parte NVTFS4C08NWFTAG
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 55A U8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 155179 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte NVTFS4C08NWFTAG fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 55A U8FL Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 155179 pcs Scheda dati NVTFS4C08N
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 5.9 mOhm @ 30A, 10V Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerWDFN
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 45 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1113pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18.2nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 17A (Ta) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta)

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