NVMFS6H818NWFT1G
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| Numero di parte | NVMFS6H818NWFT1G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | TRENCH 8 80V NFET |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.715 | $0.634 | $0.501 | $0.389 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NVMFS6H818NWFT1G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRENCH 8 80V NFET | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 80868 pcs | Scheda dati | NVMFS6H818N |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 190µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 20A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 136W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Altri nomi | NVMFS6H818NWFT1GOSCT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 44 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 40V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 80V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 80V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta), 123A (Tc) |
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