NVMFS5C638NLWFT1G
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| Numero di parte | NVMFS5C638NLWFT1G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.245 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NVMFS5C638NLWFT1G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 90934 pcs | Scheda dati | NVMFS5C638NL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3 mOhm @ 50A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 4W (Ta), 100W (Tc) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN, 5 Leads | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Produttore tempi di consegna standard | 44 Weeks |
| Stato senza piombo | Lead free | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2880pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40.7nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 26A (Ta), 133A (Tc) 4W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Ta), 133A (Tc) |
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