NVMFD5483NLWFT1G
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| Numero di parte | NVMFD5483NLWFT1G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.423 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NVMFD5483NLWFT1G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 84674 pcs | Scheda dati | NVMFD5483NL(WF) |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 36 mOhm @ 15A, 10V | Potenza - Max | 3.1W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 50 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 668pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23.4nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.4A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6.4A |
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