NVF3055L108T1G
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| Numero di parte | NVF3055L108T1G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.124 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NVF3055L108T1G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 193557 pcs | Scheda dati | NTF3055L108, NVF3055L108 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±15V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-223 | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 120 mOhm @ 1.5A, 5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi | NVF3055L108T1G-ND NVF3055L108T1GOSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 30 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
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