NTTFS5811NLTAG
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| Numero di parte | NTTFS5811NLTAG |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTTFS5811NLTAG | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4422 pcs | Scheda dati | NTTFS5811NL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-WDFN (3.3x3.3) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 20A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.7W (Ta), 33W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi | NTTFS5811NLTAG-ND NTTFS5811NLTAGOSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V | Descrizione dettagliata | N-Channel 40V 17A (Ta), 53A (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta), 53A (Tc) |
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