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NTTFS4C06NTWG

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Numero di parte NTTFS4C06NTWG
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 151528 pcs
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Numero di parte NTTFS4C06NTWG fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 65A U8FL Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 151528 pcs Scheda dati NTTFS4C06N
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2 mOhm @ 30A, 10V Dissipazione di potenza (max) 810mW (Ta), 31W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 8-PowerWDFN
Altri nomi NTTFS4C06NTWGOSCT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 40 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3366pF @ 15V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 11A (Ta), 67A (Tc) 810mW (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 67A (Tc)

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