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NTTFS4930NTAG

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Numero di parte NTTFS4930NTAG
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 221620 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1500 pcs
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Numero di parte NTTFS4930NTAG fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 221620 pcs Scheda dati NTTFS4930
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 23 mOhm @ 6A, 10V Dissipazione di potenza (max) 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerWDFN
Altri nomi NTTFS4930NTAG-ND
NTTFS4930NTAGOSTR		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 40 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 476pF @ 15V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 4.5A (Ta), 23A (Tc) 790mW (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta), 23A (Tc)

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