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NTMKE4891NT1G

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Numero di parte NTMKE4891NT1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5667 pcs
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Numero di parte NTMKE4891NT1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5667 pcs Scheda dati NTMKE4891N
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.6 mOhm @ 29A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 5-ICEPAK
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4360pF @ 15V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 25V
Descrizione dettagliata N-Channel 25V 26.7A (Ta), 151A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26.7A (Ta), 151A (Tc)

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