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NTMFS5C410NLTWFT3G

NTMFS5C410NLTWFT3G
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Numero di parte NTMFS5C410NLTWFT3G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 40V 312A SO8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 59018 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		5000 pcs
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Numero di parte NTMFS5C410NLTWFT3G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 40V 312A SO8FL Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 59018 pcs Scheda dati NTMFS5C410NLT
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 0.9 mOhm @ 50A, 10V Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 167W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 44 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8862pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V Descrizione dettagliata N-Channel 40V 50A (Ta), 330A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Ta), 330A (Tc)

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