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NTLUS3A39PZCTBG

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Numero di parte NTLUS3A39PZCTBG
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4173 pcs
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Numero di parte NTLUS3A39PZCTBG fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4173 pcs Scheda dati NTLUS3A39PZC
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 6-UDFN (1.6x1.6) Serie µCool™
Rds On (max) a Id, Vgs 39 mOhm @ 4A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 6-PowerUFDFN
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 15V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10.4nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata P-Channel 20V 3.4A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.4A (Ta)

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  • Descrizione:FIXED IND 68UH 180MA 6 OHM SMD
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