NTJD1155LT1G
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| Numero di parte | NTJD1155LT1G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.046 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTJD1155LT1G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 442414 pcs | Scheda dati | NTJD1155L |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V | Potenza - Max | 400mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi | NTJD1155LT1GOSTR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 50 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Tipo FET | N and P-Channel | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 8V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A | Numero di parte base | NTJD1155 |
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