NTHD2110TT1G
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| Numero di parte | NTHD2110TT1G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTHD2110TT1G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5817 pcs | Scheda dati | NTHD2110T |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 850mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | ChipFET™ | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 40 mOhm @ 6.4A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1072pF @ 6V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 12V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount ChipFET™ | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
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