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NTF3055L175T1

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Numero di parte NTF3055L175T1
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 5929 pcs
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Numero di parte NTF3055L175T1 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5929 pcs Scheda dati NTF3055L175
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±15V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 (TO-261) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 175 mOhm @ 1A, 5V Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi NTF3055L175T1OS temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Tensione drain-source (Vdss) 60V Descrizione dettagliata N-Channel 60V 2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)

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