NTD85N02R-001
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| Numero di parte | NTD85N02R-001 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 24V 12A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTD85N02R-001 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 24V 12A IPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 5890 pcs | Scheda dati | NTD85N02R |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 20A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi | NTD85N02R-001OS | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17.7nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 24V | Descrizione dettagliata | N-Channel 24V 12A (Ta), 85A (Tc) 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 85A (Tc) |
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