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NTD5862N-1G

NTD5862N-1G
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Numero di parte NTD5862N-1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4181 pcs
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Numero di parte NTD5862N-1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4181 pcs Scheda dati NTD5862N
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 5.7 mOhm @ 45A, 10V Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 98A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 98A (Tc)

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