NTD4806NA-1G
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| Numero di parte | NTD4806NA-1G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | NTD4806NA-1G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11A IPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4984 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK |
| Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 6 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | - | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-251-3 Stub Leads, IPak | temperatura di esercizio | - |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2142pF @ 12V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 11.3A (Ta), 79A (Tc) Through Hole I-PAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11.3A (Ta), 79A (Tc) |
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