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NTD3055L170G

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Numero di parte NTD3055L170G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5780 pcs
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Numero di parte NTD3055L170G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5780 pcs Scheda dati NTD3055L170
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±15V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 170 mOhm @ 4.5A, 5V Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Surface Mount DPAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)

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